RTP晶体与KTP晶体是同形异构晶体,其在非线性和电光应用中被广泛使用。RTP晶体具有很高的损伤阈值(相当于KTP晶体的1.8倍);高电阻率, 高重复频率, 不易潮解以及当电信号高达60kHz时仍不会出现诱导压电效应 ;其透射波段范围为350nm—4500nm。
晶体结构
|
斜方晶系
|
晶胞参数
|
a = 12.96 Å,b =10.56 Å,c =6.49 Å
|
Mohs 莫氏硬度
|
约5
|
密度 (g/cm
3)
|
3.6
|
熔点
|
约1000℃
|
热膨胀系数(/K)
|
α
x=1.01x10
-5, α
y =1.37x10
-5
α z =-4.17x10 -6 |
Sellmeier 方程(λin μm)
|
n
x
2=2.15559 + 0.93307[1-(0.20994/λ)
2] - 0.01452λ
2
n
y
2=2.38494 + 0.73603[1-(0.23891/λ)
2] - 0.01583 λ
2
n
z
2=2.27723 + 1.11030[1-(0.23454/λ)
2] - 0.01995λ
2
|
热光系数(dλ/dT)
|
-0.029 nm /℃
|
电光常数 (Y切) (X切) |
r
33=38.5 pm/V
r 33=35 pm/V, r 23=12.5 pm/V, r 13=10.6 pm/V |
电阻系数
|
约10
11-10
12ohm·cm
|
1064 nm静态半波长工作电压
|
4x4x20 mm: 1,600 V
6x6x20 mm: 2,400 V
9x9x20 mm: 3,600 V |
消光比
|
>20dB@633nm
|
RTP晶体与KTP晶体是同形异构晶体,其在非线性和电光应用中被广泛使用。RTP晶体具有很高的损伤阈值(相当于KTP晶体的1.8倍);高电阻率, 高重复频率, 不易潮解以及当电信号高达60kHz时仍不会出现诱导压电效应 ;其透射波段范围为350nm—4500nm。
晶体结构
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斜方晶系
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晶胞参数
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a = 12.96 Å,b =10.56 Å,c =6.49 Å
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Mohs 莫氏硬度
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约5
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密度 (g/cm
3)
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3.6
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熔点
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约1000℃
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热膨胀系数(/K)
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α
x=1.01x10
-5, α
y =1.37x10
-5
α z =-4.17x10 -6 |
Sellmeier 方程(λin μm)
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n
x
2=2.15559 + 0.93307[1-(0.20994/λ)
2] - 0.01452λ
2
n
y
2=2.38494 + 0.73603[1-(0.23891/λ)
2] - 0.01583 λ
2
n
z
2=2.27723 + 1.11030[1-(0.23454/λ)
2] - 0.01995λ
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热光系数(dλ/dT)
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-0.029 nm /℃
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电光常数 (Y切) (X切) |
r
33=38.5 pm/V
r 33=35 pm/V, r 23=12.5 pm/V, r 13=10.6 pm/V |
电阻系数
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约10
11-10
12ohm·cm
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1064 nm静态半波长工作电压
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4x4x20 mm: 1,600 V
6x6x20 mm: 2,400 V
9x9x20 mm: 3,600 V |
消光比
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>20dB@633nm
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